PRAM – Neue Speichergeneration

Phase-Change Random Access Memory – kurz PRAM – lautet der Name einer neuen Generation von Speicherbausteinen, die Samsung heute vorgestellt hat. Ab 2008 sollen die Module in die Massenproduktion gehen. PRAM soll die aktuell verwendeten High Density NOR Flash Chips ersetzen. Die Vorteile des PRAM sollen in höheren Schreibgeschwindigkeiten liegen. Bis zu 30 mal schneller können die neuen Bausteine arbeiten.
Zudem lassen sich die neuen PRAM leichter herstellen. Bis zu 20 Produktionsschritte entfallen gegenüber dem NOR-Flash. Zusätzlich sind kleinere Formfaktoren möglich, führt Samsung aus.